Quang khắc là kỹ thuật đã được phát triển từ đầu thế kỷ 20, và được sử dụng
rộng rãi nhất trong công nghiệp bán dẫn để chế tạo các vi mạch điện tử trên các phiến
Si. Ngoài ra, quang khắc được sử dụng trong ngành khoa học và công nghệ vật liệu để
chế tạo các chi tiết vật liệu nhỏ, chế tạo các linh kiện vi cơ điện tử (MEMS). Có thể nói
quang khắc là khâu bắt buộc trong ngành chế tạo vi linh kiện. Hạn chế của quang khắc
là do ánh sáng bị nhiễu xạ nên không thể hội tụ chùm sáng xuống kích cỡ quá nhỏ, vì
thế nên không thể chế tạo các chi tiết có kích thước nano (độ phân giải của thiết bị
quang khắc tốt nhất là 50 nm), do đó khi chế tạo các chi tiết nhỏ cấp nanomet, người ta
phải thay bằng công nghệ quang khắc chùm điện tử (electron beam lithography).
Trong công nghệ quang khắc các ảnh hưởng của các yếu tố bên ngoài như độ ẩm, nhiệt
độ phòng,độ sạch của phòng cho đến các thông số trong quá trình quang khắc như thời
gian chiếu sáng, tốc độ quay phủ, nhiệt độ nung mẫu đều ảnh hưởng lớn đến chất
lượng của màng. Ở mỗi phòng thí nghiệm khác nhau các thông số trên đều được tối ưu
hóa để chế tạo ra được các linh kiện với chất lượng tốt nhất.
