Hiện nay, công nghệ chế tạo Pin Mặt Trời (PMT) đã trải qua lịch sử phát triển hơn
50 năm với rất nhiều các thế hệ pin khác nhau. Bắt đầu bằng PMT thế hệ thứ nhất trên đế
silic đơn tinh thể chế tạo bằng cách khuếch tán pha tạp tạo tiếp xúc p-n. Kể từ khi được
phát minh vào năm 1954, PMT silic tinh thể đã chiếm lĩnh toàn bộ thị trường quang điện
với hơn 90% thị phần. Tuy nhiên, khi kỹ thuật chế tạo được nghiên cứu hoàn thiện đưa
hiệu suất của loại pin này lên tới trên 30%, giá trị đạt ngưỡng và khó có thể cải thiện
thêm được nữa, thì một xu hướng phát triển khác của PMT được chú ý, đó là việc hạ giá
thành sản phẩm. Đế silic đa tinh thể giá thành rẻ hơn rất nhiều được thay thế cho đế silic
đơn tinh thể. Tuy nhiên, PMT trên đế silic đa tinh thể có hiệu suất khá thấp và độ bền sản
phẩm không cao do loại đế này dễ bị vỡ nát.
PMT màng mỏng thế hệ thứ hai được phát triển dựa trên một kỹ thuật chế tạo
hoàn toàn mới. Các lớp màng mỏng bán dẫn pha tạp được lắng đọng trên bề mặt đế kính
hoặc chất dẻo tạo ra tiếp xúc p-n. Kỹ thuật này cho phép sử dụng ít vật liệu hơn, các đế
được sử dụng có giá thành rẻ hơn, diện tích pin lớn hơn, tuy nhiên nhược điểm là độ dày
lớp tiếp xúc quá nhỏ, giảm khả năng hấp thụ photon dẫn đến hiệu suất thấp. Một phương
pháp để cải thiện tình huống này là tạo ra cấu trúc pin lai tạp với lớp tiếp xúc dị thể
(heterojunction) kết hợp giữa đế silic đơn tinh thể và màng mỏng silic vô định hình pha
tạp
